半导体工艺设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110205830.8
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/54;C23C14/16;H01L21/67
申请日期：
2021-02-24
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体工艺设备
申请号	CN202110205830.8	申请日期	2021-02-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-22	公开/公告号	CN113005411A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	李默林
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开一种半导体工艺设备，包括沉积腔室(100)、装置容纳腔室(200)和检测装置(300)；所述沉积腔室(100)开设有第一通孔(110)；所述装置容纳腔室(200)通过所述第一通孔(110)与所述沉积腔室(100)相连通；所述检测装置(300)设置有待检测件(330)，所述待检测件(330)设置于所述装置容纳腔室(200)内，所述检测装置(300)用于带动所述待检测件(330)穿过所述第一通孔(110)伸入所述沉积腔室(100)，并通过检测所述待检测件(330)的振动频率变化获得所述半导体工艺设备的薄膜沉积速率。上述方案能够解决半导体工艺设备的薄膜沉积速率检测难度较大的问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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