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熔射遮敝塞子

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201520844668.4
IPC分类号：C23C14/04
申请日期：
2015-10-28
申请人：
世平科技(深圳)有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	熔射遮敝塞子
申请号	CN201520844668.4	申请日期	2015-10-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/04 局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;4查看分类表>
申请人	世平科技(深圳)有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区公明办事处楼村社区楼明路口陈文礼工业园A2栋1层、2层、4层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世平科技(深圳)有限公司	当前权利人	世平科技(深圳)有限公司
发明人	李澄盛
代理机构	深圳翼盛智成知识产权事务所（普通合伙）	代理人	黄威

摘要

本实用新型提供一种熔射遮敝塞子。熔射遮敝塞子包括塞子本体，用以塞入半导体设备的零件的表面凹洞内，其中当所述半导体设备的零件的表面被进行熔射处理时，所述塞子本体是塞入所述半导体设备的零件的表面凹洞内，以遮敝所述表面凹洞，避免熔射处理影响零件的表面凹洞结构。

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