一种3DNAND存储器擦除时的电压控制方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201911203481.5
IPC分类号：G11C16/14;G11C16/30;G11C16/04
申请日期：
2019-11-29
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	一种3DNAND存储器擦除时的电压控制方法及装置
申请号	CN201911203481.5	申请日期	2019-11-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-10	公开/公告号	CN110993009A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/14 用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;3;0;;;G;1;1;C;1;6;/;0;4查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	曹华敏;付祥;姜柯;高帅;陈子龙;安阳;向斌;黄新运;张黄鹏;王颀
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	郭化雨

摘要

本发明提供一种3DNAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂移，避免存储器单元串电流的降低，进而避免真存储器单元的读错误。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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