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半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202080009808.X
  • IPC分类号:H01L21/337;H01L29/808;H01L21/338;H01L29/812
  • 申请日期:
    2020-01-16
  • 申请人:
    株式会社电装
著录项信息
专利名称半导体装置的制造方法
申请号CN202080009808.X申请日期2020-01-16
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113316837A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/337IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;7;;;H;0;1;L;2;9;/;8;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;1;2查看分类表>
申请人株式会社电装申请人地址
日本爱知县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社电装当前权利人株式会社电装
发明人河野宪司
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人吕文卓
摘要
本发明进行以下工序:准备具有漂移层(13)的基板;通过进行外延生长,在漂移层(13)上构成沟道层(14)而形成半导体基板(10);以半导体基板(10)的厚度方向为深度方向,通过进行离子注入,在沟道层(14)中形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的栅极层(15),并且在沟道层(14)中的与栅极层(15)分离的位置,形成从半导体基板(10)的一面(10a)沿深度方向延伸的体层(16);通过进行离子注入,在沟道层(14)中的位于栅极层(15)与漂移层(13)之间的部分,形成以与栅极层(15)分离的状态与栅极层(15)对置、并被维持为与栅极层(15)不同的电位的屏蔽层(18)。

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