交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910229191.8
IPC分类号：C25D9/04;C25D11/26
申请日期：
2009-12-15
申请人：
天津大学

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专利名称	交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法
申请号	CN200910229191.8	申请日期	2009-12-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-02	公开/公告号	CN101717980A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D9/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D9/00 非金属电镀层（C25D 11/00、C25D 15/00优先；电泳覆层入C25D 13/00）〔2〕 C25D9/04 无机材料的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;9;/;0;4;;;C;2;5;D;1;1;/;2;6查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	侯峰;阴育新
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	曹玉平

摘要

本发明公开了一种采用交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法，步骤为(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜；(2)采用交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜，在乳酸与水的混合溶液中溶解CuSO4制备Cu2O电沉积液，TiO2/Ti为工作电极，石墨为对电极，在交流电压下沉积Cu2O，用去离子水冲洗Cu2O/TiO2纳米阵列薄膜电极表面，干燥后制得一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜。本发明的方法工艺简单、易于控制，不易破坏TiO2纳米管阵列结构，可望实现廉价大规模生产。

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