半导体器件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200620121220.0
IPC分类号：H01L27/00;H01L23/34
申请日期：
2005-03-11
申请人：
雅马哈株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN200620121220.0	申请日期	2005-03-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;4查看分类表>
申请人	雅马哈株式会社	申请人地址	日本静冈县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	雅马哈株式会社	当前权利人	雅马哈株式会社
发明人	野本健太郎;井川郁哉;齐藤博;佐藤隆志;大桥敏雄;大仓喜洋
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波;侯宇

摘要

提供了一种半导体器件，其包括具有用于制造电子电路的第一表面的半导体基底；由绝缘树脂构成的树脂包围层，其形成在半导体基底的第一表面上；与电子电路相连并在树脂包围层上部分露出的多个外部端子；在树脂包围层上形成的多个通道或空洞；以及在与半导体基底的第一表面相对的第二表面上形成的多个通道或空洞。所述通道沿预定方向延伸，或者将其形成为彼此成直角地相交。由于形成通道或空洞，所以可以提高半导体器件表面的总面积，由此提高半导体器件的散热性能。另外，可以避免半导体器件的弯曲。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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