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磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610104388.5
  • IPC分类号:B24B37/04;H01L21/304
  • 申请日期:
    2006-08-11
  • 申请人:
    周海
著录项信息
专利名称磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
申请号CN200610104388.5申请日期2006-08-11
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2007-04-18公开/公告号CN1947944
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B24B37/04IPC分类号B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人周海申请人地址
江苏省盐城市黄海中路20号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人周海当前权利人周海
发明人周海
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及光电子器件的加工方法技术领域,是一种制备蓝色和红色发光二极管(LED)基础材料磷化镓(GaP)晶片的加工工艺。该加工工艺由无蜡粘片、塑性域磨削、研磨、抛光、净化等几个步骤组成,附图1是磷化镓晶片加工工艺流程图;磷化镓晶片是通过水吸附在承片盘上;本发明涉及磷化镓晶片加工过程中使用的专用研磨液、抛光液和清洗液,所述的专用研磨液由:氧化铬微粉、橄榄油、煤油构成;专用抛光液则由重铬酸氨、聚氧乙烯酰胺以及去离子水构成;专用清洗液由:硫酸(H2SO4)、过氧化氢(H2O2)、去离子水(H2O)等构成;当上述加工工艺和专用的研磨液、抛光液和清洗液配合使用时,可以获得无损伤层的、晶格完整的、磷化镓晶体表面,表面粗糙度达到0.5纳米以下,满足制备发光二极管所需的磷化镓晶片表面质量要求,该工艺不仅提高磷化镓晶片的质量,而且大大缩短制备周期,从而节约生产成本,提高生产率。

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