利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310120176.2
IPC分类号：H01L33/00
申请日期：
2003-12-09
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
申请号	CN200310120176.2	申请日期	2003-12-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-15	公开/公告号	CN1627543
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张书明;杨辉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括：1)在蓝宝石绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长N型氮化镓层、发光有源区和P型氮化镓层的发光二极管结构；2)在步骤1)的基础上设计发光二极管的管芯尺寸，在设计好的管芯的P型氮化镓层上制备具有高反射率的P型欧姆接触电极；3)将蓝宝石绝缘衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄；4)利用切割法或划片法的管芯分割技术沿设计好的管芯的分割道将外延片上的管芯分割成单个管芯；5)在支撑体上制备N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极；6)最后利用倒装焊技术将管芯倒装焊到具有N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极的支撑体上。

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