一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210369967.8
IPC分类号：G01S13/06;G01S7/40
申请日期：
2012-09-28
申请人：
中国航天科工集团第二研究院二O七所

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著录项信息

专利名称	一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法
申请号	CN201210369967.8	申请日期	2012-09-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-09	公开/公告号	CN103713284A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01S13/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01S 无线电定向；无线电导航；采用无线电波测距或测速；采用无线电波的反射或再辐射的定位或存在检测；采用其他波的类似装置 G01S13/00 使用无线电波的反射或再辐射的系统，例如雷达系统；利用波的性质或波长是无关的或未指明的波的反射或再辐射的类似系统〔3〕 G01S13/02 利用无线电波反射的系统，例如，初级雷达系统；类似的系统〔3〕 G01S13/06 测定目标位置数据的系统〔3〕	IPC分类号	G;0;1;S;1;3;/;0;6;;;G;0;1;S;7;/;4;0查看分类表>
申请人	中国航天科工集团第二研究院二O七所	申请人地址	北京市海淀区永定路50号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国航天科工集团第二研究院二O七所	当前权利人	中国航天科工集团第二研究院二O七所
发明人	闫华;董纯柱;王超
代理机构	核工业专利中心	代理人	罗立冬

摘要

本发明属于信号特征控制技术领域，具体涉及一种基于SBR与PO技术的强散射中心计算方法。该计算方法通过射线追踪和物理光学进行热点计算，获得能给出目标表面每个面元的RCS贡献的分布图，通过比较热点图定位强散射部位。该方法与低频法相比，采用SBR和PO方法计算目标热点具有较高的效率；热点贡献附在目标三维模型表面上，可直观的分析强散射贡献部位。并且该方法可追踪分离的二次、三次强耦合结构。目标上分离的部位的耦合产生的强多次散射，常常不容易发现，通过热点图可将这些隐含的强散射结构找出来。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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