抗蚀剂的干式显影

发明专利有效专利

申请号：
CN201980085227.1
IPC分类号：G03F7/36;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/42;G03F7/004
申请日期：
2019-12-19
申请人：
朗姆研究公司

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著录项信息

专利名称	抗蚀剂的干式显影
申请号	CN201980085227.1	申请日期	2019-12-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113227909A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕 G03F7/26 感光材料的处理及其设备（G03F 7/12至G03F 7/24优先）〔3，5〕 G03F7/36 G03F 7/30至G03F 7/34组中不包括的影像去除，例如，用气流、用等离子体去除影像〔5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;3;6;;;G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;3;8;;;G;0;3;F;7;/;4;2;;;G;0;3;F;7;/;0;0;4查看分类表>
申请人	朗姆研究公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	朗姆研究公司	当前权利人	朗姆研究公司
发明人	鲍里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;萨曼莎·西亚姆华·坦;吴呈昊;凯文·顾
代理机构	上海胜康律师事务所	代理人	李献忠;张华

摘要

抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现，该方法包括：在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上；以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影：通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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