加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

键合结构及其形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310697669.6
  • IPC分类号:H01L23/538;H01L21/768
  • 申请日期:
    2013-12-18
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称键合结构及其形成方法
申请号CN201310697669.6申请日期2013-12-18
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-06-24公开/公告号CN104733434A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/538IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人王晓东
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种键合结构及其形成方法,所述键合结构的形成方法包括:提供基底,所述基底包括介质层和位于所述介质层内的金属互连线,并且所述金属互连线的表面与介质层表面齐平;在所述基底表面形成焊垫金属层,所述焊垫金属层包括第一区域和第二区域,所述第一区域位于金属互连线上方,第二区域位于所述金属互连线一侧的介质层上方,且第一区域和第二区域连接;在所述焊垫金属层的第二区域内形成凹槽,所述凹槽的深度小于焊垫金属层的厚度。上述方法可以提高键合结构的可靠性。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供