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一种用于高温气相沉积的硅舟

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110882319.1
  • IPC分类号:C23C16/458
  • 申请日期:
    2021-08-02
  • 申请人:
    杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称一种用于高温气相沉积的硅舟
申请号CN202110882319.1申请日期2021-08-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113322450A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/458IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请人地址
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州盾源聚芯半导体科技有限公司当前权利人杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
发明人韩颖超;马潇;裴翔鹰;李长苏
代理机构杭州信与义专利代理有限公司代理人胡铁锋
摘要
本发明公开了一种用于高温气相沉积的硅舟,属于半导体器件领域,包括第一端板、第二端板和设于两者之间的定位条,定位条上沿长度方向间隔设有多个用于定位放置硅片的定位槽,第一端板和/或第二端板可拆连接有用于抵住硅片不转动的挡件,第一端板或第二端板上设有驱动机构,驱动机构包括形变构件和传动组件,形变构件受热发生形变后与传动组件相抵触,传动组件产生移动并驱动第一端板、第二端板相对于硅片周向转动一角度,第一端板、第二端板在传动组件作用下从初始位置转动至最终位置,在初始位置和最终位置下,定位槽对应硅片的周向位置不同。本发明的优点在于可以有效改善硅片与定位槽的接触位置的气相沉积效果,提高硅片的整体质量。

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