光学半导体装置的生产工艺和该工艺中使用的片

发明专利无效专利

申请号：
CN200810214876.0
IPC分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/075;H01L33/00;H01L23/31;H01L23/29;H01S5/00
申请日期：
2008-09-03
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	光学半导体装置的生产工艺和该工艺中使用的片
申请号	CN200810214876.0	申请日期	2008-09-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-11	公开/公告号	CN101383295
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;S;5;/;0;0查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	原田宪章;木村龙一;赤泽光治
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

本发明涉及一种用于生产光学半导体装置的工艺和该工艺中使用的片。该工艺包括：设置用于光学半导体元件封装的片和安装在基板上的多个光学半导体元件，用于光学半导体元件封装的片包括树脂片A和断续地嵌入树脂片A的多个树脂层B，使得多个光学半导体元件中的每一个面对多个树脂层B；接着，将多个光学半导体元件中的每一个嵌入多个树脂层B中的任一个。根据本发明的工艺，可以一次性封装光学半导体元件。结果，能够容易获得在LED元件保护和耐用性上出色的光学半导体装置。从而，获得的光学半导体装置具有延长的寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供