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一种高晶体质量红外发光二极管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420449810.0
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/12;H01L33/22;H01L33/06
申请日期：
2014-08-11
申请人：
厦门乾照光电股份有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高晶体质量红外发光二极管
申请号	CN201420449810.0	申请日期	2014-08-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人	厦门乾照光电股份有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬（翔安）产业区翔岳路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门乾照光电股份有限公司	当前权利人	厦门乾照光电股份有限公司
发明人	林志伟;陈凯轩;白继锋;杨凯;卓祥景;张永;姜伟;蔡建九;刘碧霞
代理机构	厦门市新华专利商标代理有限公司	代理人	廖吉保;唐绍烈

摘要

本实用新型公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本实用新型解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。

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