光掩模及其制造方法以及曝光方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710128566.6
IPC分类号：G03F1/30
申请日期：
2017-03-06
申请人：
力晶科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	光掩模及其制造方法以及曝光方法
申请号	CN201710128566.6	申请日期	2017-03-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108459462A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/26 相移掩膜〔PSM〕；PSM空白；其制备〔2012.01〕 G03F1/30 交替式PSM，例如Levenson-Shibuya PSM；其制备〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;0查看分类表>
申请人	力晶科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	力晶积成电子制造股份有限公司	当前权利人	力晶积成电子制造股份有限公司
发明人	林俊良
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陈小雯

摘要

本发明公开一种光掩模及其制造方法以及曝光方法。该光掩模包括透明基板、挡光层、至少一个第一滤光图案与至少一个第二滤光图案。挡光层设置于透明基板上，且具有交替排列的至少一个第一开口与至少一个第二开口。第一滤光图案设置于第一开口中，且只允许具有第一波长的第一光线通过。第二滤光图案设置于第二开口中，且只允许具有第二波长的第二光线通过。第一波长与第二波长为不同波长。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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