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导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201680069731.9
  • IPC分类号:G06F3/041;B32B15/08;G02F1/1343
  • 申请日期:
    2016-12-07
  • 申请人:
    株式会社LG化学
著录项信息
专利名称导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极
申请号CN201680069731.9申请日期2016-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-07-17公开/公告号CN108292179A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/041IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;4;1;;;B;3;2;B;1;5;/;0;8;;;G;0;2;F;1;/;1;3;4;3查看分类表>
申请人株式会社LG化学申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社LG化学当前权利人株式会社LG化学
发明人李一翻;闵进赫;金起焕;朴赞亨
代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地,根据本发明的实施例的导电结构包括设置在基板上的金属层;以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层,其中,所述光反射减少层包括包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;锌;以及铜。

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