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半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811260736.7
  • IPC分类号:H01L27/11578
  • 申请日期:
    2018-10-26
  • 申请人:
    长江存储科技有限责任公司
著录项信息
专利名称半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层
申请号CN201811260736.7申请日期2018-10-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-03-15公开/公告号CN109473442A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11578
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人长江存储科技有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长江存储科技有限责任公司当前权利人长江存储科技有限责任公司
发明人王启光;靳磊
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明公开了一种半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层。其中,所述制备方法包括以下步骤提供半导体器件,所述半导体器件内形成有沟道通孔,在所述沟道通孔内形成功能层;在所述功能层上沉积沟道材料层,所述沟道材料层包括离子掺杂型沟道材料层,所述沟道材料层上的靠近所述功能层的一侧具有第一离子掺杂浓度,所述第一离子掺杂浓度大于等于零;执行热处理工艺,以使所述沟道材料层至少在靠近所述功能层的一侧形成为沟道层,所述沟道层具有第二离子掺杂浓度,所述第二离子掺杂浓度大于零;其中,所述第二离子掺杂浓度大于所述第一离子掺杂浓度。

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