具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420775113.4
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2014-12-10
申请人：
中国电子科技集团公司第四十七研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片
申请号	CN201420775113.4	申请日期	2014-12-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第四十七研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市皇姑区陵园街20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第四十七研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第四十七研究所
发明人	姜硕
代理机构	北京商专永信知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	方挺;葛强

摘要

本实用新型公开了一种具有阱单元行和阱连接单元行的半导体芯片，包括：多个阱单元行；隔行布置在所述多个阱单元行中的多个阱连接单元行；其中，所述多个阱连接单元行中的每一行的相邻阱连接单元之间的距离布置成：使得每个阱连接单元行中的阱连接单元以防闩锁效应的最小安全距离为半径形成的覆盖区的叠加足以覆盖全部的所述多个阱单元行。根据本实用新型的阱连接单元，由于为精心设计阱连接单元间的间距和采用的隔行布置，在预防闩锁效应和满足芯片的充分供电的情况下，使所加的阱连接单元数量尽可能的少，节省了加工成本，优化了芯片的时序，确保了精确合理的制定芯片的制造工艺，提高了芯片产品质量的可靠性和稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供