大功率低光衰高抗静电发光二极管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020178603.8
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
申请日期：
2010-05-04
申请人：
高安市汉唐高晶光电有限公司

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专利名称	大功率低光衰高抗静电发光二极管
申请号	CN201020178603.8	申请日期	2010-05-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	高安市汉唐高晶光电有限公司	申请人地址	江西省高安市清高路603号厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高安市汉唐高晶光电有限公司	当前权利人	高安市汉唐高晶光电有限公司
发明人	黄少彬;许永志
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种大功率低光衰高抗静电发光二极管，该发光二极管由基板(2)、带散热鳍片的铜制支架(3)、硅衬底大功率芯片(1)、金线(4)、荧光材料(6)和硅胶透镜(5)组成。带散热鳍片的铜制支架用锡焊接在铜基板上，硅衬底大功率芯片倒装在带散热鳍片的铜制支架碗杯中央，金线通过焊接连接芯片和电极，芯片上布有荧光胶干燥后的荧光材料，透镜安装在支架的透镜槽中，把芯片罩在半球状透镜中央。由于本实用新型芯片采用硅衬底大功率芯片，加上结构上采用带散热鳍片的铜制支架和铜基板，整个发光二极管的散热效果大大提高，本实用新型可大幅提高原有的大功率LED产品的各项性能，使大功率LED产品可广泛用于室内、外照明，景观装饰，矿山，抢险，军事等领域。

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