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具有可变扫描频率的离子植入机

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200780010801.4
  • IPC分类号:H01J37/02;H01J37/147;H01J37/317;H01J37/302;H01L21/265
  • 申请日期:
    2007-03-23
  • 申请人:
    瓦里安半导体设备公司
著录项信息
专利名称具有可变扫描频率的离子植入机
申请号CN200780010801.4申请日期2007-03-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-04-15公开/公告号CN101410929
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/02IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;0;2;;;H;0;1;J;3;7;/;1;4;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人瓦里安半导体设备公司申请人地址
美国麻萨诸塞州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瓦里安半导体设备公司当前权利人瓦里安半导体设备公司
发明人约瑟·C·欧尔森;摩根·艾文斯
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司代理人寿宁
摘要
一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器,其产生离子束;扫描器,其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描;及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率,所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量,若所述能量高于能量阀(threshold)值,则所述扫描频率高于扫描频率阀值,若所述能量低于所述能量阀值,则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。

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