基于氟的聚合物薄膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201180035933.9
IPC分类号：C23C14/12;C08F14/18;C08F14/20;C08F14/22;C09J5/04
申请日期：
2011-07-22
申请人：
LG化学株式会社

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著录项信息

专利名称	基于氟的聚合物薄膜及其制备方法
申请号	CN201180035933.9	申请日期	2011-07-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-03	公开/公告号	CN103025912A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/06 以镀层材料为特征的（C23C 14/04优先）〔4〕 C23C14/12 有机材料〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;1;2;;;C;0;8;F;1;4;/;1;8;;;C;0;8;F;1;4;/;2;0;;;C;0;8;F;1;4;/;2;2;;;C;0;9;J;5;/;0;4查看分类表>
申请人	LG化学株式会社	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG化学株式会社	当前权利人	LG化学株式会社
发明人	林振炯;崔贤;金起焕
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	黄丽娟;陈英俊

摘要

本发明涉及一种基于氟的聚合物薄膜及其制备方法。根据本发明的制备基于氟的聚合物薄膜的方法包括如下步骤：a）在第一基底上形成基于氟的聚合物薄膜；b)在所述基于氟的聚合物薄膜上形成包含第一官能团的薄层；c）在第二基底上形成包含第二官能团的薄层；以及d）使所述第一官能团和所述第二官能团彼此化学键合。根据本发明，可以在基底上牢固地形成基于氟的聚合物薄膜，并且可以改善耐久性并长时间保持抗水性和防污性。此外，根据本发明在基底上形成基于氟的聚合物薄膜的方法具有优异的可操作性，并且当基底破损时容易修复。

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