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一种IGBT器件及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710173909.0
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28
  • 申请日期:
    2017-03-22
  • 申请人:
    中山汉臣电子科技有限公司
著录项信息
专利名称一种IGBT器件及其制备方法
申请号CN201710173909.0申请日期2017-03-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-01公开/公告号CN106997899A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中山汉臣电子科技有限公司申请人地址
广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中山汉臣电子科技有限公司当前权利人中山汉臣电子科技有限公司
发明人单建安;冯浩
代理机构深圳市千纳专利代理有限公司代理人袁燕清
摘要
一种IGBT器件及其制备方法,本发明涉及于功率半导体器件,为提供一种在不折损IGBT其他各项性能指标(如正向导通压降Von,开关速度,负载短路能力等)的基础上,提升其雪崩耐量的器件结构设计方案,本发明提出一种新型IGBT器件结构及其制备方法,本发明的有益效果在于:本发明的IGBT器件相对于现有技术IGBT器件而言,可以实现更加稳定的击穿特性,大大提高器件的雪崩耐量,从而使器件在实际的高速高功率应用中更加安全可靠。

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