一种红外聚光芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201410615812.7
IPC分类号：G02F1/1343;G02F1/133;G02F1/29;G01J3/12
申请日期：
2014-11-05
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	一种红外聚光芯片
申请号	CN201410615812.7	申请日期	2014-11-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-04	公开/公告号	CN104330930A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/1343 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/13 基于液晶的，例如单位液晶显示单元〔2〕 G02F1/133 构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置（用于控制矩阵中液晶元件并且在结构上不与这些元件相连的装置或电路入G09G 3/36）〔3，7〕 G02F1/1333 构造上的设备（G02F 1/135，G02F 1/136优先）〔5〕 G02F1/1343 电极〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;1;3;4;3;;;G;0;2;F;1;/;1;3;3;;;G;0;2;F;1;/;2;9;;;G;0;1;J;3;/;1;2查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	张新宇;雷宇;佟庆;罗俊;桑红石;谢长生
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	廖盈春

摘要

本发明公开了一种红外聚光芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构，其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的直径大于与其相邻的圆环形导电膜的径向宽度；在圆环形导电膜为多个时，多个圆环形导电膜依次设置在圆形导电膜的外围，且其径向宽度递减。该芯片对红外波束的聚焦效能高，光场适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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