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具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件

发明专利有效专利

申请号：
CN201380081717.7
IPC分类号：H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00;G11C7/04
申请日期：
2013-12-18
申请人：
惠普发展公司，有限责任合伙企业

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件
申请号	CN201380081717.7	申请日期	2013-12-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-03	公开/公告号	CN105830218A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;G;1;1;C;1;1;/;5;6;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0;;;G;1;1;C;7;/;0;4查看分类表>
申请人	惠普发展公司，有限责任合伙企业	申请人地址	美国德克萨斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠普发展公司，有限责任合伙企业	当前权利人	惠普发展公司，有限责任合伙企业
发明人	葛宁;杨建华;李智勇
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	刘瑜;王英

摘要

公开了具有热辅助开关控制的非易失性存储器元件。非易失性存储器元件布置在热喷墨电阻器上。还公开了用于制造组合的方法以及使用组合的方法。

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