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一种量子点发光二极管及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811445444.0
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
申请日期：
2018-11-29
申请人：
TCL集团股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种量子点发光二极管及其制备方法
申请号	CN201811445444.0	申请日期	2018-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-05	公开/公告号	CN111244307A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	TCL集团股份有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL科技集团股份有限公司	当前权利人	TCL科技集团股份有限公司
发明人	王劲;曹蔚然;钱磊
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王永文;刘文求

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明提供的量子点发光二极管结构简单，叠层数少，有利于降低启动电压和工艺繁琐度，并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用，能有效阻绝水和氧的侵入，从而提高量子点发光二极管的使用寿命。

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