薄膜基体镀前等离子体处理设备

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202022672972.9
IPC分类号：C23C14/02;C23C14/56;C23C16/02;C23C16/44;C23C16/54
申请日期：
2020-11-18
申请人：
松山湖材料实验室

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专利名称	薄膜基体镀前等离子体处理设备
申请号	CN202022672972.9	申请日期	2020-11-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/02 待镀材料的预处理（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;5;4查看分类表>
申请人	松山湖材料实验室	申请人地址	广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松山湖材料实验室	当前权利人	松山湖材料实验室
发明人	宋光耀;田修波
代理机构	深圳市千纳专利代理有限公司	代理人	陈培琼

摘要

本实用新型公开了一种薄膜基体镀前等离子体处理设备，其包括通过连接通道依次连接的放料室、前处理室和镀膜室，连接通道上设有隔板，通过隔板上的狭缝能有效解决了各腔室之间的串气问题，确保各腔室的功能稳定实现。薄膜基体在经过前处理室时通过限位板进行限定，避免在收到离子风时而产生位移，确保基体表面镀前处理效果；而且通过等离子体装置能大大提高Ar原子的离化率，在空间范围内形成高密度的等离子体，有效提升薄膜基体表面的快速镀前清洁能力，进而快速将薄膜基体表面吸附的杂质气体充分释放干净，不仅清洁效果好、速度快，而且确保了薄膜基体镀前表面活性，不易产生变形或断裂现象，镀膜后膜层阻值一致性好，能够实现持续高质量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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