具有位线选择晶体管的页缓冲器电路

发明专利有效专利

申请号：
CN202080003950.3
IPC分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24
申请日期：
2020-12-16
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	具有位线选择晶体管的页缓冲器电路
申请号	CN202080003950.3	申请日期	2020-12-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112689874A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	陈腾;王砚;魏镜;张扬;栗山正男
代理机构	北京永新同创知识产权代理有限公司	代理人	于景辉;李文彪

摘要

本公开的方面提供了一种存储器件。例如，该存储器件可以包括存储阵列、位线和缓冲器。该存储阵列可以包括多个存储串。可以将该存储串划分成第一存储串组和第二存储串组。该位线可以包括耦合到第一存储串组的第一位线区段和耦合到第二存储串组的第二位线区段。第一位线区段可以设置在第一存储串组和缓冲器之间，并且通过第一传导路径连接到缓冲器。第二位线区段可以设置在第二存储串组和缓冲器之间，并且通过第二传导路径连接到缓冲器。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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