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含铟晶片及其生产方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03801351.7
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2003-07-17
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社
著录项信息
专利名称含铟晶片及其生产方法
申请号CN03801351.7申请日期2003-07-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-01-26公开/公告号CN1572019
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社当前权利人住友电气工业株式会社
发明人田中聪;岩崎孝
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人程金山
摘要
提供了一种可以可靠地进行汞去除的含铟晶片和制造这种晶片的方法,以便使汞C-V方法可行,汞C-V方法允许高精度地测量含铟晶片的特性,且它是一种非破坏性的测试。本发明的含铟晶片特征在于具有形成在其外表层上的附加除汞层,其目的在于去除晶片表面粘附的汞和由化合物半导体组成。此外,本发明制造含铟晶片的方法特征在于用粘附到除汞层表面上作为电极的汞评价晶片的电性能后,通过清除除汞层来去除表面粘附的汞。

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