相移掩模的缺陷修正方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810100694.4
IPC分类号：G03F1/72
申请日期：
2018-02-01
申请人：
株式会社SK电子

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	相移掩模的缺陷修正方法
申请号	CN201810100694.4	申请日期	2018-02-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-10	公开/公告号	CN108388078A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/72 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/68 未包含在G03F 1/20至G03F 1/50组中的制备工艺〔2012.01〕 G03F1/72 掩膜缺陷的修复或校正〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;7;2查看分类表>
申请人	株式会社SK电子	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社SK电子	当前权利人	株式会社SK电子
发明人	齐藤隆史;山田慎吾;森山久美子
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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