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用核化抑制的特征填充

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510644832.1
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/67
  • 申请日期:
    2015-09-30
  • 申请人:
    朗姆研究公司
著录项信息
专利名称用核化抑制的特征填充
申请号CN201510644832.1申请日期2015-09-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-06公开/公告号CN105470194A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人朗姆研究公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人朗姆研究公司当前权利人朗姆研究公司
发明人阿南德·查德拉什卡;爱思特·杰恩;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;高举文;王徳齐
代理机构上海胜康律师事务所代理人樊英如;李献忠
摘要
本发明涉及用核化抑制的特征填充,描述了用钨填充特征的方法,以及相关的系统和装置,其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中,所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应,从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征,诸如钨通孔,以及水平特征,诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。

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