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固体氧化物电解槽的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810032735.7
  • IPC分类号:C25C5/00;C25C7/00
  • 申请日期:
    2008-01-17
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称固体氧化物电解槽的制作方法
申请号CN200810032735.7申请日期2008-01-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-11-12公开/公告号CN101302631
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C25C5/00IPC分类号C;2;5;C;5;/;0;0;;;C;2;5;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人余晴春;屠恒勇;胡鸣若;隋升;李海滨
代理机构上海交达专利事务所代理人王锡麟;王桂忠
摘要
一种材料技术领域的固体氧化物电解槽的制作方法,具体步骤为:在金属基体上沉积所对应的金属氧化物,烧结后,自然冷却,作为阴极或直接以金属作为阴极;固体氧化物电解质粉料,通过流延成型的方法形成素坯后,在氧化气氛下,烧结后,自然冷却后得到致密固体电解质薄膜,继续沉积阳极活化层和阳极接触层,烧结,成为半电解槽;把阴极和半电解槽中的固体氧化物电解质紧密接触,构成固体氧化物电解槽。本发明避免了电解质的损耗以及可能造成的腐蚀问题。

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