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一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410105466.8
  • IPC分类号:H01L33/04
  • 申请日期:
    2014-03-20
  • 申请人:
    西安神光皓瑞光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法
申请号CN201410105466.8申请日期2014-03-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-06-18公开/公告号CN103872197A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/04IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;4查看分类表>
申请人西安神光皓瑞光电科技有限公司申请人地址
陕西省西安市航天基地东长安街888号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安神光皓瑞光电科技有限公司当前权利人西安神光皓瑞光电科技有限公司
发明人王晓波
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人胡乐
摘要
本发明提出一种新的外延生长方法,能够有效的提升LED芯片的ESD。本发明在生长n区和p区的过程中,采用了掺杂超晶格结构周期性插入结构。由于超晶格结构能够改变界面电子和空穴的浓度,电子和空穴在电流作用下运动过程中,能够通过超晶格界面将电流有效地扩展;扩展后的分散电流较之前更加均匀分布,然后经过下一个超晶格界面后再重新分布扩充。在电子和空穴注入有源区之前,经过多次的电流扩展,能够极大地提升自身的抗静电能力;同时,周期性垂直穿插超晶格使得外延在生长的过程中位错和缺陷得到阻挡,尤其是穿透位错极大的减小,减小了漏电通道从而提升了ESD性能。

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