一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510428655.3
IPC分类号：H01L33/52;H01L25/075;H01L21/56;H01L21/60
申请日期：
2015-07-21
申请人：
山东浪潮华光光电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法
申请号	CN201510428655.3	申请日期	2015-07-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-16	公开/公告号	CN105161605A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/52 封装〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	山东浪潮华光光电子股份有限公司	申请人地址	山东省潍坊市高新区金马路9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东浪潮华光光电子股份有限公司	当前权利人	山东浪潮华光光电子股份有限公司
发明人	曹志芳;夏伟;闫宝华;徐现刚
代理机构	济南日新专利代理事务所	代理人	王书刚

摘要

一种可实现高效封装的GaN基LED芯片制备方法，包括以下步骤：（1）制备外延片，在外延片表面蒸镀一层ITO透明导电层；(2) 制作P电极和N电极；保留P电极和N电极上的光刻胶掩膜，暂不去除；(3)对外延片进行切割，形成单颗芯片单元，切割至衬底处，使相邻芯片单元之间形成隔离槽；(4)在带有隔离槽的外延片表面沉积SiO2，利用湿法腐蚀去除芯片电极表面的光刻胶掩膜；(5)对芯片单元进行金属化连接；(6)根据封装要求切割出所需的LED芯片。本发明从LED芯片工艺制程上预先进行串并连接，然后再进行封装制程；可根据需求切割出相应的芯片，直接进行封装，具有封装过程操作方便、封装效率高、成本低、产品性能稳定、发光效率高、可靠性好等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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