半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610172421.8
IPC分类号：H01L23/522;H01L21/768
申请日期：
2006-12-27
申请人：
东部电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200610172421.8	申请日期	2006-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-04	公开/公告号	CN1992256
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人	东部电子股份有限公司	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东部电子股份有限公司	当前权利人	东部电子股份有限公司
发明人	韩载元
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	郑小军

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜中埋置第一金属布线；在第一绝缘膜上形成第一感光膜，第一感光膜具有用于暴露第一金属布线和部分第一绝缘膜的第一沟槽；在半导体衬底的所得到的上部结构上形成第二阻挡膜；在第二阻挡膜上形成金属薄膜；通过去除第一感光膜形成第二金属布线；在第一绝缘膜上形成第二感光膜，其中与第二金属布线对应的区域用作第二沟槽；在半导体衬底的所得到的上部结构上形成第三阻挡膜；去除第二感光膜；以及在第一绝缘膜和第二金属布线上形成由低k材料制成的第二绝缘膜。本发明可以减小金属层间绝缘膜的介电常数及剩余物的产生，提高半导体器件的运行速度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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