高频高压低温等离子体发生系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201910242167.1
IPC分类号：H02M7/5387;H02M5/10;H05H1/24
申请日期：
2019-03-28
申请人：
苏州大学

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著录项信息

专利名称	高频高压低温等离子体发生系统
申请号	CN201910242167.1	申请日期	2019-03-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-31	公开/公告号	CN109831112A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M7/5387 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M7/00 交流功率输入变换为直流功率输出；直流功率输入变换为交流功率输出 H02M7/42 不可逆的直流功率输入变换为交流功率输出的 H02M7/44 利用静态变换器的 H02M7/48 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的〔1，2007.01〕 H02M7/53 利用需要连续应用控制信号的三极管或晶体管器件的〔2〕 H02M7/537 仅用半导体器件的，例如，单开关脉冲逆变器〔2〕 H02M7/5387 在桥式结构中的〔4，2007.01〕	IPC分类号	H;0;2;M;7;/;5;3;8;7;;;H;0;2;M;5;/;1;0;;;H;0;5;H;1;/;2;4查看分类表>
申请人	苏州大学	申请人地址	江苏省苏州市相城区济学路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州大学	当前权利人	苏州大学
发明人	吴迪;伍远博;陶智;陈大庆;黄敏;顾中浩;徐超;周长伟;江均均
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	叶栋

摘要

本发明涉及一种高频高压低温等离子体发生系统，系统包括控制电路、零电压软开关驱动电路及高频谐振升压电路，控制电路用于向零电压软开关驱动电路输送控制信号，零电压开关驱动电路接收控制信号并将控制信号逆变为交流信号并通过零电压软开关驱动电路进行第一次升压处理后发送第一升压信号至高频谐振升压电路，高频谐振升压电路接收第一升压信号并对第一升压信号作第二次升压处理。通过在系统中加入零电压软开关驱动电路及高频谐振升压电路，将控制信号变成第一升压信号，该第一升压信号经高频谐振升压电路升压后形成高压电场，最终在高压电场内稳定形成低温等离子体，达到高效率、低损耗且低温产生等离子体的效果。

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