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在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810845999.8
  • IPC分类号:B81C1/00;B81B7/02
  • 申请日期:
    2018-07-27
  • 申请人:
    英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
著录项信息
专利名称在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移
申请号CN201810845999.8申请日期2018-07-27
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-02-12公开/公告号CN109319729A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B81C1/00IPC分类号B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人英飞凌技术德累斯顿有限责任公司申请人地址
德国德累斯顿 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌技术德累斯顿有限责任公司当前权利人英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
发明人S·普雷格尔;U·鲁道夫
代理机构北京市金杜律师事务所代理人郑立柱;崔卿虎
摘要
本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括:执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体;在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域,电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度;以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙,其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离,并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。

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