芯片多面包封保护结构及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201611122528.1
IPC分类号：H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2016-12-08
申请人：
华天科技（昆山）电子有限公司

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著录项信息

专利名称	芯片多面包封保护结构及其制作方法
申请号	CN201611122528.1	申请日期	2016-12-08
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449533A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/29 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/29 按材料特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	华天科技（昆山）电子有限公司	申请人地址	江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华天科技（昆山）电子有限公司	当前权利人	华天科技（昆山）电子有限公司
发明人	于大全;杨力
代理机构	昆山四方专利事务所	代理人	盛建德;段新颖

摘要

本发明公开了一种芯片多面包封保护结构及其制作方法，采用可光刻干膜对半导体芯片第一表面进行包封，并通过真空填膜的方式对半导体芯片侧面进行包封，实现了对芯片第一表面及侧面的保护，与环氧塑封料包封相比：采用干膜的台阶覆盖性好，填充后几乎不产生气泡，无需进行多次填充工艺和抽真空工艺，因此，制程工艺简单，制程时间也相对缩短。采用干膜覆盖表面平整，仅需曝光、显影制程暴露出凸点，凸点高度的均一性好，同时避免了研磨工艺带来厂务废水特殊处理问题。采用干膜真空填膜的方式进行填充包封芯片侧面，填充料足，无分层、溢料、胶体翘曲等缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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