焊接装置以及焊接方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200880006083.8
IPC分类号：H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
申请日期：
2008-02-26
申请人：
株式会社新川

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	焊接装置以及焊接方法
申请号	CN200880006083.8	申请日期	2008-02-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-24	公开/公告号	CN101681850
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	株式会社新川	申请人地址	日本国东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社新川	当前权利人	株式会社新川
发明人	前田徹
代理机构	上海三和万国知识产权代理事务所	代理人	王礼华

摘要

本发明涉及焊接装置以及焊接方法。在使用金属纳米焊剂接合半导体芯片(12)的电极及电路线路板(19)的电极的焊接装置(10)中，包括：凸块形成机构(20)，将金属纳米焊剂的微液滴射出到电极上，形成凸块；一次接合机构(50)，将半导体芯片(12)的凸块推压到电路线路板(19)的凸块上，以非导通状态一次接合各电极；二次接合机构(80)，包含将一次接合的各凸块朝接合方向加压的加压器，加热凸块到比金属纳米焊剂的粘接剂除去温度及金属纳米焊剂的分散剂除去温度高的温度，除去粘接剂及分散剂，使得凸块的金属纳米粒子加压烧结，各电极导通，进行二次接合。由此，减小接合载荷，同时能以简便方法有效地进行各电极的接合。

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