芯片的拾取装置及半导体装置的制造方法

1.芯片拾取装置，所述芯片拾取装置将晶片切割而成的单片化芯片转移并粘贴到安装在晶片环上的粘接带的粘接面侧，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该拾取装置包括：晶片环保持机构、顶推机构、运送机构、芯片位置识别机构、移动机构和第1控制器；所述晶片环保持机构，用于保持所述晶片环；所述顶推机构，从所述粘接带的粘接面背面，用销越过粘接带将各个芯片顶起，把芯片从粘接带剥离开来；所述运送机构，在所述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，到芯片从粘接带剥离为止都一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；所述芯片位置识别机构，光学地识别被剥离芯片的位置；所述移动机构，使所述顶推机构的销移动到由所述芯片位置识别机构所识别的芯片位置；所述第1控制器，控制所述顶推机构的销对芯片的顶推动作；该第1控制器控制销的上升时间和下降时间，从上升变化到下降时使其滞留预定时间。
2.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，将所述晶片切割而成的单片化芯片，是沿着切割线或芯片分割线，在晶片元件形成面上形成不贯通到晶片背面的半切槽，研削所述晶片的背面而形成的单片化芯片。
3.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述芯片的厚度为100μm或100μm以下，所述顶推机构的销，越过粘接带顶推芯片时的速度，在定常状态是0.1mm/秒～1mm/秒。
4.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述第1控制器，使所述顶推机构的销滞留的时间是0.01～10秒之间。
5.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述顶推机构的销有5个以上，相邻销与销之间的间隙之中，最狭窄部分的间隙大于或等于0.3mm、而小于或等于1mm。
6.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述顶推机构的销有5个以上，这些销这样配置：从其中选择4个，将该4个销的中心分别连线形成6根连线时，外周是四边形，并且，分别连接其对角线的交点与所述四边形的相对的顶点的2根线的长度差都不大于100μm，这样形成的4根的组，至少存在1组。
7.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述顶推机构的销有5个以上，这些销这样配置：连接配置在最外侧销的中心的、包围全部销的图形，不伸出于与芯片外周相同大小的图形时，外侧的销的中心与芯片外周的距离，存在着1.5mm或1.5mm以上的外周。
8.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，所述顶推机构的销，前端部有曲面，该曲面的半径大于或等于0.5mm、而小于或等于2mm。
9.半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：从所述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接面将芯片顶起；将销的滞留时间控制在0.01～10秒之间；在所述销剥离芯片的动作时，从所述粘接带的粘接面侧，使吸头下降直到与芯片接触，吸附芯片；在芯片从粘接带上被剥离下来后，使吸头上升，拾取芯片，运送到下工序。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在从所述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接带将芯片顶起之前，光学地识别被剥离芯片的位置；使顶推机构的销移动到所识别的芯片位置；吸附保持粘接带的粘接面背面侧。
11.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在将所述晶片切割成单片化芯片时，沿着切割线或芯片分割线，在晶片元件的形成面上形成不贯通到晶片背面的半切槽，研削所述晶片的背面而成为单片化芯片。
12.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述销在剥离芯片时，从原点位置渐渐地提高速度后，成为定常速度，再渐渐地减缓速度后停止，然后进行返回原点的动作。
13.如权利要求1所述的芯片拾取装置，其特征在于，具有在拾取粘接在所述粘接带上的芯片时，加热该粘接带，使其粘接力降低的加热机构。
14.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述销顶推芯片的同时或之前，向粘接带吹喷高温非活性气体。

芯片的拾取装置及半导体装置的制造方法\n技术领域\n本发明涉及半导体装置的组装技术，特别涉及装配技术中采用的芯片拾取装置及半导体装置的制造方法。具体地说，是涉及在IC卡或TAG、3D组件等用的薄芯片组装工序中，把切割晶片而得到的单个芯片，从粘接带上依次剥离下并运送的拾取装置及半导体装置的制造方法。\n背景技术\nIC卡和便携式机器中使用的半导体装置，其装配面积和厚度受到限制。但是，其功能却要求无限制地增加。为了适应该要求，三维地安装芯片的技术是有效的，并且正盛行中。是被称为叠层模块的半导体组件，该组件的厚度与已往相同。例如，为了用于便携式机器的存储部，将快速存储器与SRAM二层重叠的产品已有市售。重叠3至4层的产品也在研究开发中，即将上市。\n为了在这样薄的半导体组件中安装，对于已往200～650μm的芯片厚度，要求达到不足200μm。上述将快速存储器与SRAM2层重叠的产品、或者重叠3～4层的产品中，芯片的厚度很薄，达到50～150μm。另外，也要求50μm以下的薄型化的芯片。\n但是，随着对芯片薄型化的要求，芯片减薄后，在拾取时会产生破裂的问题。芯片的弯曲强度与芯片的厚度平方成正比，芯片越薄则越容易产生裂缝或破裂。\n已往的拾取装置中，厚度40～200μm的薄硅芯片，在拾取时常常产生破裂。这里所说的破裂，是指芯片裂缝、或者在芯片的周边部即角部或边缘产生缺口等。\n下面，参照图1、2A、2B、3A至3C、4A至4D、5A至5C、6A至6C、7A至7H，说明上述拾取时产生的破裂。图1用于说明已往的拾取装置及半导体装置制造方法，概略地表示顶推机构中的支撑座、销座及销的断面构造。销座11在支撑座12内上下动，当销座11上升时，销13越过粘接带14把芯片15顶推到上方，把粘贴在粘接面14上的芯片15剥离下来。\n通常，销13如图2A所示，以芯片15的中心位置为点对称、并且沿对角线配置。在支撑座12的上面，与上述销的配置对应地、如图2B所示，在销13的伸出位置设有贯通孔16。\n图3A至图3C分别表示把厚度为200～750μm的通常芯片15顶起的状况。图4A至图4D分别表示随着顶起，芯片15渐渐离开粘接带14的状况。如图3A至图3C所示，当销13上升时，如图4A至图4C中斜线所示，芯片15渐渐地从粘接带14上剥离，图4D表示芯片完全剥离。这时，随着销13的上升，芯片15的周边部、尤其是角部先剥离(见图4B)，剥离的部分除了销13周围外渐渐扩大(见图4C)，当销13到达最高点时，完全剥离(见图4D)。\n但是，如果芯片15的厚度减薄到40～100μm时，如图5A至图5C所示，与销13相接的部分先上升，不与销13相接的部分，上升迟缓。这是由于芯片15薄，芯片15产生弯曲而不能从粘接带14上剥离的缘故。结果，如图6A和图6B中斜线所示，从粘接带14的剥离迟缓，如图6C所示产生裂缝16。该裂缝16，是由于芯片15超过硅屈服极限地被弯曲，在表面产生了开裂。另外，在表面产生的裂缝16一直延伸到背面，使芯片15成为完全裂开的状态。芯片15的厚度越薄，该裂缝16的产生越多。\n图7A至图7H分别表示芯片裂开的状况，是厚度为100μm以下特薄硅芯片开裂的状况。裂缝可大致分为“缺口”型、“开裂”型、和“贯通”型三大类。“缺口”型如图7A至图7C所示，在芯片15的角部或周边产生缺口。“开裂”型如图7D至图7G所示，产生线状的裂缝。“贯通”型如图7H所示，仅在与销13相接的部分，硅片隆起地裂开。\n如上所述，已往的拾取装置及半导体的制造方法中，在拾取薄型化的芯片时，存在产生裂缝等的损坏，使芯片质量降低，制造成品率降低的问题。\n发明内容\n本发明提供的芯片拾取装置，芯片拾取装置，所述芯片拾取装置将晶片切割而成的单片化芯片转移并粘贴到安装在晶片环上的粘接带的粘接面侧，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该拾取装置包括：晶片环保持机构、顶推机构、运送机构、芯片位置识别机构、移动机构和第1控制器；所述晶片环保持机构，用于保持所述晶片环；所述顶推机构，从所述粘接带的粘接面背面，用销越过粘接带将各个芯片顶起，把芯片从粘接带剥离开来；所述运送机构，在所述顶推机构剥离芯片时，用吸头吸附芯片，到芯片从粘接带剥离为止都一直保持吸附状态，然后使吸头上升，拾取芯片，运送到下一工序；所述芯片位置识别机构，光学地识别被剥离芯片的位置；所述移动机构，使所述顶推机构的销移动到由所述芯片位置识别机构所识别的芯片位置；所述第1控制器，控制所述顶推机构的销对芯片的顶推动作；该第1控制器控制销的上升时间和下降时间，从上升变化到下降时使其滞留预定时间。\n另外，本发明提供的半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴着将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：从上述粘接带的粘接面背面侧，用销越过粘接面将芯片顶起；将销的滞留时间控制在0.01～10秒之间；在上述销剥离芯片的动作时，从粘接带的粘接面侧，使吸头下降直到与芯片接触，吸附芯片；在芯片从粘接带上被剥离下来后，使吸头上升，拾取芯片，运送到下工序。\n另外本发明提供的芯片拾取装置，包括顶推机构、加热机构和吸附运送机构；上述顶推机构，备有支撑座和销座，该销座在上述支撑座内上下动，使销越过粘接带顶推那样地按压粘贴在上述粘接带上的芯片；上述加热机构，在拾取粘接在粘接带上的芯片时，加热该粘接带，使其粘接力降低；上述吸附运送机构，吸附并运送被上述顶推机构顶推的芯片。\n另外，本发明提供的半导体装置的制造方法，在粘接带的粘接面侧，粘贴将晶片切割而成的单片化芯片，将这些芯片从粘接带上依次剥离下来并运送，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：在顶推销顶推芯片的同时或之前，向粘接带吹喷高温非活性气体，使粘接带的粘接力降低；从粘接带上依次将芯片剥离下来后运送。\n附图说明\n图1用于说明已往的拾取装置及半导体装置的制造方法，是概略地表示顶推机构中的支撑座、销座及销的构造的断面图。\n图2A和图2B是说明图1所示顶推机构中的销的配置和支撑座的贯通孔关系的顶视图。\n图3A至图3C分别是依次表示将厚度为200～750μm的芯片顶起的断面图。\n图4A至图4D分别是表示借助上述图3A至图3C所示的顶推动作，芯片渐渐离开粘接带的状况的平面图。\n图5A至图5C分别是依次表示将厚度为40～100μm的芯片顶起的断面图。\n图6A至图6C分别是表示借助上述图5A至图5C所示的顶推动作，芯片产生裂缝状况的平面图。\n图7A至图7H，分别是表示在芯片上产生裂缝时的各种状态的平面图。\n图8用于说明本发明第1实施例之拾取装置，是表示其外观的立体图。\n图9是表示图8所示拾取装置的顶推机构中的支撑座、销座和销构造的断面图。\n图10A至图10Q分别表示销的配置例，是表示星型配置的平面图。\n图11A至图11R分别表示销的配置例，是表示直线配置的平面图。\n图12是表示先切割加工的流程图。\n图13是表示使销13上升、将芯片从粘接带上剥离时的程序。\n图14是已往的拾取装置和本实施例的拾取装置中的、销的顶推负荷比较曲线图。\n图15A是说明四点弯曲试验的断面图。\n图15B表示芯片抗折强度的维泊尔分布(weibulldistribution)，是表示已往的拾取装置与本实施例拾取装置的比较图。\n图16用于说明本发明第2实施例之拾取装置和半导体装置的制造方法，表示图8所示拾取装置中的顶推机构的另一例构造，是表示支撑座、销座和销构造的断面图。\n图17A是表示销座上的销、毛细管及真空孔的配置平面图。\n图17B是表示支撑座与粘接带的接触面上的贯通孔的配置平面图。\n图18A是表示销座上的销、毛细管及真空孔的另一配置平面图。\n图18B是表示支撑座与粘接带的接触面上的贯通孔的另一配置平面图。\n具体实施方式\n下面，参照附图说明本发明的实施例。图8说明本发明第1实施例之拾取装置，是表示其外观的立体图。该拾取装置，由拾取机构21、顶推机构22、芯片位置识别机构23和控制装置(控制器)24等构成。\n上述拾取机构21，备有机械手25、以该机械手25的一端为支点朝图示箭头A方向往复动作的驱动部26、和使机械手25上下动(箭头B方向)的驱动部27。在该机械手25的前端部，设有吸头28。吸头28与芯片直接接触，用真空力吸附芯片。这样，机械手25在拾取芯片的位置上下动，并且吸附芯片进行运送动作。\n作为拾取对象的芯片，粘贴在粘接带上，仅靠真空力拾取是困难的。虽然可以采取加强真空力、或者用机械挟取芯片的方法，但这些方法会使芯片上产生缺陷或裂缝，降低质量。因此，用顶推机构22从粘接带上剥离芯片。上述顶推机构22侧备有驱动部29和驱动部30。驱动部29使支撑座32在晶片环面内自由动，驱动部30使顶推销上下动。上述驱动部29借助马达31等，使支撑座32在图示箭头方向C和直交于该方向C的箭头方向D移动。在上述支撑座32上设有贯通孔32A，由设在驱动部30上的马达33，使顶推销上下动(箭头E方向)，这样，销从上述贯通孔32A突出，将芯片顶起，从粘接带上剥离。\n上述粘接带粘贴在称为晶片环的环状工具上。该拾取装置上设有夹具34，该夹具34上高精度地载置固定着晶片环。晶片环的固定夹具34不仅固定粘接带，而且，把粘接带推上时使粘接带张紧。拾取芯片时，通常顶起1～5mm。\n上述芯片位置识别机构23，根据从照相机35得到的图像数据，用±10μm以下的精度，推断出晶片环内的芯片位置。支撑座32和机械手25，按照从芯片位置识别机构23得到的芯片位置数据，以±20μm以下的精度准确地移动。\n上述拾取机构21的驱动部26、27的动作、吸头28的吸附动作、顶推机构22侧的驱动部29、30的动作、以及芯片位置识别机构23对芯片位置的推断等，均由控制装置24控制。\n拾取薄型化的芯片时，上述顶推机构22是非常重要的。下面，参照图9、10A至10Q、图11A至图11R，详细说明上述拾取装置的顶推机构22。图9表示顶推机构22中的支撑座、销座和销的断面构造。图10A至图10Q、图11A至图11R，分别表示销的配置例。图10A至图10Q是星形配置，图11A至图11R是直线配置。\n图9中，表示按照从上述芯片位置识别机构23得到的芯位置识别数据，将支撑座32移动到作为拾取对象的芯片下部，再使销座36上升，用销越过粘接带37，顶推芯片38的状态。销座36在支撑座32内上下动，销39的前端，与支撑座32的上面是同一高度。将该高度设为0。从该位置销39开始上升，越过粘接带37将芯片38顶推到上方。\n如图10A至图10Q和图11A至图11R所示，销39有5个以上，相邻销与销的间隙之中，最狭窄部分的间隙是0.3mm以上、1mm以下。另外，这些销这样配置：从5个以上的销中选择4个，分别将该4个销的中心连线，有6根连线时，其外周是四边形，并且，位于对角线上的2组销估计以100μm误差以其对角线的交点为中心的呈点对称的4根形成的组至少存在1组。或者这样配置：将配置在最外侧的销的中心连接，使包围全部销的图形，不伸出于与芯片外周相同大小的图形时，外侧的销的中心与芯片外周的距离，存在1.5mm以上的外周。这些销39，其前端部有弯曲面，该弯曲面的半径是0.5mm以上、2mm以下。\n如上所述，由于采用5个以上的销，所以，在拾取时能分散作用在芯片38上的应力，抑制裂缝。另外，由于销39与销39间的距离和销39的配置适当，所以，更提高裂缝抑制效果。另外，由于销39的前端部是曲面，该曲面的半径是0.5mm以上、2mm以下，所以，可抑制“贯通”型裂缝。\n下面，说明采用上述拾取装置的半导体装置的制造方法。将晶片切割，形成单个的芯片，在把该芯片安装在晶片环上的状态，固定在图8所示拾取装置的晶片环的固定夹具34上。\n先说明将芯片供给拾取装置前的切割工序。\n用公知的各种工序，在晶片中形成回路后，将晶片切割成为单片化。单片化的顺序是，研削晶片的背面，将其减薄后切割。这时，在背面容易产生缺陷。背面缺陷是在晶片背面产生的细片状缺口。在柔软的粘接带上切断坚硬的硅晶片时，在硅晶片断开前，由于粘接带变形，使切断方向偏移或破缺，在硅晶片与粘接带的界面产生裂缝。背面缺陷在芯片裂开的起点产生。当然，这也与芯片自身的强度有关，所以，背面缺陷少者质量高。芯片越薄，背面缺陷越严重。\n下面说明的先切割(也称为DBG，Dicing Before Grinding的缩写)·加工，是可以极力减少上述背面缺陷的方式。图12是先切割·加工的流程图。先切割·加工中，沿着用于将晶片单片化的切割线或芯片分割线，形成半切槽(STEP1)。这时的切入，不贯通到晶片背面。该方法也称为半切·切割。因为通常的切割是一直贯通到晶片背面地切入。切入的深度，比芯片的最终加工厚度深约10μm至30μm。至于具体深多少，取决于切割刀和研磨机的精度。\n图12的流程图中，以运送晶片的装置为前提，所以，表示不使用切割带的方式。当然，也可以使用切割带。即，单片化时，为了使芯片不飞散，在研磨时预先将晶片粘贴固定在带上。切割带基材的材质，采用氯乙烯、聚烯烃等的塑料。使基材具有粘接性的方法有两种，一种方法是将表面弄粗糙，使其本身具有粘接性。另一种方法是在基材上涂敷粘接剂。后者方法，可选择地改变粘接力。在切割时，希望能牢固地保持住芯片；在拾取芯片时，希望不损坏芯片地容易剥下。粘接剂具有上述二种相互矛盾的性质，所以采用涂敷粘接剂的方法比较好。该粘接剂，要采用在某种作用下粘接力降低的粘接剂。上述的某种作用，是指紫外线照射或加热等。紫外线照射时，采用主成分为环氧树脂和丙烯基树脂的粘接剂，利用原子团聚合的硬化反应。加热时，利用硅树脂的发泡现象。\n是否使用上述切割带，根据装置的构造进行选择。在使用切割带的装置中，以安装在晶片环上的状态运送。因此，预先将晶片粘贴在切割带上，将晶片供给到切割刀(切割装置)。\n接着，把带粘贴在半切割后的晶片的元件形成面上(STEP2)。把该带称为表面保护带。把带粘贴在晶片表面的目的，是为了削取晶片背面，在减薄的过程中，不损伤元件。\n接着，是晶片的背面研削(抛光)工序(STEP3)。背面研削，是使带磨石的砂轮以4000～6000rpm的高速旋转，对晶片的背面进行研削，一直到预定的厚度。上述磨石是用酚醛树脂将人造金刚石固接而成的。该背面研削工序，多采用2轴研削方法。另外，也可以采用这样的方法，即，预先用1轴，用320～600号的磨石进行粗磨后，再用2轴，用1500～2000号的磨石，加工成光面。另外，也可采用3轴研削方法。\n背面研削后的芯片，被转送到安装在晶片环上的粘接带上(STEP4)。该粘接带称为拾取带(或转移带)。上述拾取带的材料，是采用氯乙烯、丙烯基系。与薄芯片对应的拾取带，最好是丙烯基系、且照射紫外线时粘接力变弱的带。拾取带应具有转送容易、拾取容易的性质。为了转送，最好能牢固地将芯片保持住，使该芯片不动。同时，拾取带也应具有能简单地剥离芯片的性质。丙烯基系的带之中，有些带在照射紫外线时粘接力变弱。该丙烯基系带，在照射紫外线前后，粘接性不同，所以适合于作为薄芯片的拾取带。拾取带可采用日立化成制HAL-1503、HAL-1603、林特库(リンテツク)公司制的G-11、G15等的氯乙烯系带。另外，也可以采用公司制的D-105等的丙烯基UV系带。\n然后，剥离了上述表面保护带(STEP5)后，例如将紫外线照射到拾取带(粘接带)上，使其粘接力降低(STEP6)，安装到拾取装置中的晶片环的固定夹具34上(STEP7)。\n根据该先切割方式，没有通常切割那样的问题，可大大减少背面的缺陷。尤其对于薄芯片该先切割·加工更为适合。与已往的切割相比，可提高晶片或芯片的抗折强度。\n本实施例的拾取装置及半导体装置的制造方法中，采用该先切割·加工，对单片化的薄芯片进行拾取。\n首先，按照控制装置24的控制，根据从照相机35得到的图像数据，由芯片位置识别装置23推断出作为拾取对象的芯片的位置，按照该位置数据，用顶推机构22使支撑座32移动，并且，使其移动到设在机械手25前端部的吸头28的位置。\n然后，借助上述控制装置24的控制，按照图13所示的程序，使销39上升，进行拾取。已往的拾取装置中，销越过薄膜后顶推芯片，在停止的瞬间立刻开始下降。而本实施例的半导体装置的制造方法中，销从停止位置(高度0)渐渐提高速度，不久成为定速，接近最高点(上死点)时速度减缓，到达最高点时立即停止。滞留时间ΔT，当芯片厚度为100μm以下时，最好为0.01～10秒。如果使上死点附近的速度充分降低，则也不一定要使销完全停止。然后，返回停止位置(高度0)停止。\n上述顶推销39上升的速度，如果速度过快，则芯片38开裂，所以，对于厚度为100μm以下的芯片，在定速状态，合适的速度是0.1mm/秒～5mm/秒(当然该速度也因拾取装置的种类而异)。为了减少对芯片的损伤，最好是0.1mm/秒～1mm/秒。另外，顶推销39的行程，以支撑座32的上面为基准，最好是0.1～2mm。\n已往的拾取装置中，是拾取厚芯片，所以，不必使顶推销滞留，在定速状态，其速度是100μm/秒～1000μm/秒。另外，顶推销的行程，以支撑座的上面为基准，是1～5mm。该销的顶推动作和吸头的下降动作是同时的，顶推销到达最高点时，吸头28接触、吸附芯片。\n而本实施例的半导体装置的制造方法中，在销39到达最高点后，不立即使其下降，而使其滞留。通过滞留，可促使芯片38的剥离。本实施例的拾取装置中，滞留时间ΔT可设定为0～10秒之间。此后，吸头28开始上升，将芯片38带到预定的场所。\n按照图13所示程序的销39的上升中，顶推负荷如图14所示。如图14所示，已往的方法中，在芯片38即将从粘接带37剥离时，负荷是峰值。而本实施例的装置和方法中，峰值被分成为2个，并且，各负荷最高点的值比已往的装置及方法低。结果，芯片38的变形量小，与已往的装置或方法相比，可提高芯片38的抗折强度。\n图15A用于说明四点弯曲试验。用支承部件P1、P2支承着芯片38一方面侧的2点，在该状态下，通过部件P3、P4，用弯曲工具50朝箭头F方向对芯片另一方面侧的2点施加荷重。测定这时的抗折荷重，用材料力学理论求出抗折强度。抗折强度σ(MPa)用下式表示。\nσ＝3aF/bh2式中，F是芯片38破损时的荷重(N)，a是力点间距离(m)，b是支点间距离(m)，h是芯片38的厚度(m)。\n图15B是从上述四点弯曲试验和上式得到的维泊尔分布。与已往的装置或方法相比，本实施例的芯片38的抗折强度提高。\n拾取后的工序，有装入托盘情形和安装情形。装入托盘情形时，使机械手25移动，直接将芯片收容在托盘内。安装情形时，也是使机械手25移动，将芯片安装在导线架或安装基板的预定位置。\n根据上述构造的拾取装置，在拾取时，用控制装置控制销的上下动作，通过使销滞留，可促进芯片的剥离，用小的负荷即可把芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化芯片时，也可抑制开裂等的损伤，提高芯片质量。\n根据上述半导体装置的制造方法，在用销顶推着芯片的状态，等待芯片从粘接带上剥离下来，所以，可促进芯片的剥离，可用小负荷将芯片从粘接带上剥离下来。这样，在拾取薄型化的芯片时，也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量和成品率。\n下面，说明本发明第2实施例的拾取装置及半导体装置的制造方法。第2实施例的主旨是容易地将芯片从粘接带上剥离下来。即，该第2实施例中，通过对粘接带局部加热，使其粘接性降低，容易拾取。加热时的要点，是瞬时加热。通过瞬时加热，可不降低生产性地拾取。\n图16说明上述图8所示拾取装置中的顶推机构22的另一例，表示支撑座、销座和销的断面构造。在支撑座40上形成真空配管，该真空配管用真空压吸附固定粘接带。销座41收容在支撑座40中并可上下动。在销座41的上面固定着顶推销42，销42从设在支撑座40上面的贯通孔43伸出。在销座41中，与销42的位置并排地、上下延伸着玻璃毛细管44，高温非活性气体的注入口45固定在该销座41上。从注入口45供给的高温非活性气体，例如是温度为200～400℃的氮(N2)气，该氮气通过上述毛细管44和设在上述支撑座40上面的贯通孔46，被导向粘接带的背面侧。将氮气吹喷到粘接带上的时间，最好在销座41上升、开始顶推之前，或者与上升同时。从供给氮气到销上顶动作开始的延迟时间由控制器24控制。从开始供给氮气到停止供给的时间也同样由控制器24控制。设置探测粘接带的加热温度的传感器60，在传感器60探测到加热时，也可以由控制器24停止上述氮气的供给。\n图16中，毛细管44仅一直形成到销座41的上面，但也可以突出于上面。\n图17A表示销座41上面的顶推销42、毛细管44以及与上述真空配管连接着的真空孔47的布置例。如该图所示，在长孔48内，交替地配置着顶推销42和毛细管44，该长孔48配置成十字形。真空孔47以等间隔配置在上述长孔48之间。\n图17B表示支撑座40上面的各贯通孔43、46和真空孔47的布置例。该图17B是支撑座40与粘接带接触的面。在支撑座40的上面，与上述销座41的上面对应地、配置着长孔48和真空孔47。\n根据上述构造，在拾取前，通过对粘接带加热，使粘接带的粘接力降低，可容易地拾取芯片。另外，通过使用高温的非活性气体，可瞬间加热，并且，可只在吹喷气体时加热，冷却也快，生产性提高。\n图18A表示与上述销座41上面的顶推销42、毛细管44、以及与上述真空配管连接着的真空孔47的另一布置例。如图所示，长孔48呈放射状配置。\n图18B表示支撑座40上面的各贯通孔43、46和真空孔47的另一布置例。在支撑座40的上面，与上述销座41的上面对应地、配置着长孔48和真空孔47。\n根据该构造，由于销42的数量多，所以，使作用在芯片上的应力分散，可更加抑制裂缝的发生。\n因此，根据上述拾取装置，通过对粘接带瞬时加热，使粘接带的粘接力降低，可不损伤芯片地将芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化的芯片时也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量。\n另外，根据上述半导体装置的制造方法，通过对粘接带瞬时加热，使粘接带的粘接力降低，可不损伤芯片地将芯片从粘接带上剥离下来。结果，在拾取薄型化的芯片时也能抑制开裂等的损伤，提高芯片质量和制造成品率。\n另外，上述第2实施例中，说明了吹喷高温非活性气体、使粘接带的粘接力降低的例子。但是，也可以在支撑座上设置加热器，控制该加热器将粘接带加热。该加热器，可采用片状物，也可以在支撑座上安装加热棒，进行局部加热，这样也能得到与喷吹高温非活性气体同样的效果。\n但是，该方式中，由于加热器部不能瞬时冷却，与采用高温非活性气体时相比，生产性有些降低。冷却加热器的理由是，如果持续加热，粘接带的基材收缩，使粘接带恶化，并且也有损伤芯片的危险。\n本发的进一步变更和修改对本领域技术人员来说是容易的。因此，本发明并不限于上述实施方式。因此，在不偏离本发明的权利要求和其等同内容的宗旨下，本发明可作各种变更。