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多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110412636.3
  • IPC分类号:H01L21/266;G06F17/50
  • 申请日期:
    2011-12-12
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法
申请号CN201110412636.3申请日期2011-12-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-05-09公开/公告号CN102446721A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/266IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;6;;;G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人汤益丹;申华军;白云;李博;周静涛;刘焕明;杨成樾;刘新宇
代理机构北京市德权律师事务所代理人刘丽君
摘要
公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子,根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数,确定选用单能离子注入的关系因子,确定能量组合;利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值,并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布;将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化,消除箱型注入分布前拖尾,形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布;将各掺杂段箱型掺杂浓度分布,去除掩蔽牺牲层,通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布,通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。

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