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发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420009173.5
IPC分类号：H01L27/15;H01L33/36
申请日期：
2014-01-07
申请人：
圆融光电科技有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管
申请号	CN201420009173.5	申请日期	2014-01-07
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6查看分类表>
申请人	圆融光电科技有限公司	申请人地址	安徽省马鞍山市经济开发区宝庆路399号1栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	圆融光电科技股份有限公司	当前权利人	圆融光电科技股份有限公司
发明人	郑远志;盛成功;陈向东;康建;梁旭东
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	刘芳

摘要

本实用新型提供一种发光二极管，包括衬底，以及设置在衬底上的发光二极管芯片组件；其中，发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片分隔且反向并联设置。第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片互为反向保护，从而提高发光二极管的反向耐压性能，降低发光二极管的失效率。

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