高频模块及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880053669.3
IPC分类号：H01L23/00;H01L21/56;H01L23/02;H01L25/04;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H05K1/02;H05K3/00;H05K3/28;H05K9/00
申请日期：
2018-09-03
申请人：
株式会社村田制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高频模块及其制造方法
申请号	CN201880053669.3	申请日期	2018-09-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-17	公开/公告号	CN111033722A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;4;;;H;0;1;L;2;5;/;0;6;5;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8;;;H;0;5;K;1;/;0;2;;;H;0;5;K;3;/;0;0;;;H;0;5;K;3;/;2;8;;;H;0;5;K;9;/;0;0查看分类表>
申请人	株式会社村田制作所	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社村田制作所	当前权利人	株式会社村田制作所
发明人	大坪喜人;山口理
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王玮;张丰桥

摘要

提供一种高频模块，通过导体销将屏蔽层和外部基板的接地电极连接，降低屏蔽电阻，屏蔽性能稳定。高频模块(1)具备：基板(2)；安装在基板(2)的上表面(2a)的第1部件(4)；安装在基板(2)的下表面(2b)的第2部件(5)；上侧密封树脂层(6)和下侧密封树脂层(7)；导体销(8)；以及屏蔽层(9)。导体销(8)具有：从下侧密封树脂层(7)的下表面(7a)暴露且与外部基板的接地电极连接的端子部(8a)；以及从下侧密封树脂层(7)的侧面(7b)暴露且与屏蔽层(9)连接的屏蔽连接部(8b)。通过将导体销(8)的端子部(8a)与接地电极连接，能够以最短距离将屏蔽层(9)与接地电位连接，降低屏蔽电阻。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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