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一种由SiO<sub>2</sub>直接制备四配位和五配位硅氧烷的合成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910478405.9
  • IPC分类号:C07F7/07
  • 申请日期:
    2019-06-03
  • 申请人:
    杭州师范大学
著录项信息
专利名称一种由SiO<sub>2</sub>直接制备四配位和五配位硅氧烷的合成方法
申请号CN201910478405.9申请日期2019-06-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-05-05公开/公告号CN111100155A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07F7/07IPC分类号C;0;7;F;7;/;0;7查看分类表>
申请人杭州师范大学申请人地址
浙江省杭州市余杭区余杭塘路2318号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州师范大学当前权利人杭州师范大学
发明人李志芳;杨新瑜
代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司代理人王江成
摘要
本发明涉及有机化学技术领域,具体涉及一种由SiO2直接制备四配位和五配位硅氧烷的合成方法。将二氧化硅置于乙二醇中,在有机碱的催化下反应一定时间,随后减压蒸馏除去过量的乙二醇得到白色固体,用甲醇溶解后过滤除去未反应完全的二氧化硅后,向滤液中加入乙腈,过滤得到白色沉淀,将沉淀干燥后得到最终的四配位和五配位硅氧烷产品。本发明解决了现有技术中四配位和五配位硅氧烷合成方法过程中存在的高能耗的问题,使用有机碱甲醇钠、乙醇钠或叔丁醇钾代替无机碱,具有大大降低了反应温度,缩短了反应时间,便于工业化生成的优点。

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