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一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120338485.7
  • IPC分类号:H01L29/92;G01R31/12;G01R31/16
  • 申请日期:
    2011-09-09
  • 申请人:
    广东中显科技有限公司
著录项信息
专利名称一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件
申请号CN201120338485.7申请日期2011-09-09
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/92
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;9;2;;;G;0;1;R;3;1;/;1;2;;;G;0;1;R;3;1;/;1;6查看分类表>
申请人广东中显科技有限公司申请人地址
广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东中显科技有限公司当前权利人广东中显科技有限公司
发明人王彬
代理机构北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙)代理人曹津燕
摘要
本实用新型提出一种用于测试SiNx绝缘层的MIM结构器件。该MIM结构器件包括玻璃衬垫,下电极,栅绝缘层,上电极;该下电极呈分离的块状等间隔的位于玻璃衬垫的上部,该栅绝缘层覆盖在整个下电极上,并与玻璃衬垫紧密接触,该上电极呈分离的块状等间隔的位于该栅绝缘层的上部。其中上下电极的分离块构成的对应电极对为3对;同时,上下电极的分离块大小相同,一一对应。通过测试SiNx绝缘层的MIM结构器件,能够准确快速的检测出SiNx绝缘层,以及SiNx绝缘层的介电性能,为薄膜晶体管(TFT)及其栅绝缘层的性能提供了准确工作的依据。

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