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一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110559391.0
  • IPC分类号:C01G31/00;H01L29/24;B82Y40/00
  • 申请日期:
    2021-05-21
  • 申请人:
    国家纳米科学中心
著录项信息
专利名称一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用
申请号CN202110559391.0申请日期2021-05-21
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-07公开/公告号CN113353980A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G31/00IPC分类号C;0;1;G;3;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人国家纳米科学中心申请人地址
北京市海淀区中关村北一条11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国家纳米科学中心当前权利人国家纳米科学中心
发明人王振兴;姚雨雨;何军
代理机构北京路浩知识产权代理有限公司代理人盛大文
摘要
本发明提供一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用,所述制备方法包括:以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料,进行化学气相沉积反应,制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片;所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为1:9:3~9。本发明的制备方法工艺简单、反应速度快且成本低,制备得到的自插层钒基十五硫硒化八钒V8(S1‑xSex)15纳米片面积大、纯度高,结晶性好,而且化学性质稳定,制得的自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片能应用在场效应晶体管或者自旋电子器件等方面。

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