加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种具有PSG介质保护层的SGT器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN202023248067.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51
  • 申请日期:
    2020-12-28
  • 申请人:
    深圳市威兆半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种具有PSG介质保护层的SGT器件
申请号CN202023248067.7申请日期2020-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1查看分类表>
申请人深圳市威兆半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区桃源街道田寮工业A区田寮大厦1115 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市威兆半导体有限公司当前权利人深圳市威兆半导体有限公司
发明人李泽宏;莫家宁;刘小菡;李伟聪;姜春亮;林泳浩
代理机构深圳市中科创为专利代理有限公司代理人彭西洋;梁炎芳
摘要
本实用新型公开一种具有PSG介质保护层的SGT器件,包括:第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽;所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极,且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方;还包括PSG介质保护层,位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面;还包括第一介质层、第二导电类型的基区、第一导电类型的重掺杂区、第二导电类型的重掺杂区、源极金属、第二介质层。本实用新型使用掺磷的PSG作为屏蔽栅介质层,起屏蔽空穴的作用,有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供