一种多场耦合材料加工装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011360120.4
IPC分类号：H01L41/45;H01L41/253;H01L41/257;H01L41/335
申请日期：
2020-11-27
申请人：
昆山微电子技术研究院

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著录项信息

专利名称	一种多场耦合材料加工装置
申请号	CN202011360120.4	申请日期	2020-11-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-26	公开/公告号	CN112563408A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L41/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L41/083 和H01L 41/087优先于H01L 41/09至H01L 41/113各组。〔6〕 H01L41/22 专门适用于组装、制造或处理压电或电致伸缩器件或其部件的方法或设备〔2，2013.01〕 H01L41/35 形成压电或电致伸缩材料〔2013.01〕 H01L41/45 有机材料〔2013.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;1;/;4;5;;;H;0;1;L;4;1;/;2;5;3;;;H;0;1;L;4;1;/;2;5;7;;;H;0;1;L;4;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人	昆山微电子技术研究院	申请人地址	江苏省苏州市昆山市祖冲之南路1699号综合楼7楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆山微电子技术研究院	当前权利人	昆山微电子技术研究院
发明人	姚沛林;王盛凯;占敏杰;王英辉
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	常亮

摘要

本申请公开了一种多场耦合材料加工装置，包括：加工腔体，所述加工腔体具有加工内腔；用于储存待加工材料，并能够进出所述加工腔体的储料件；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加压力的施力系统；能够加热位于所述加工内腔中的所述待加工材料，以使所述待加工材料具有不同温度的温度系统；能够对位于所述加工内腔中的所述待加工材料施加电场的电场系统；能够改变所述加工内腔的气氛状态，以使位于所述加工内腔中的所述待加工材料处于不同气氛环境的气氛系统。上述的多场耦合材料加工装置，能够在加工过程中对待加工材料同时施加多个物理场，避免了待加工材料在不同设备之间的转移，提高了产品的良率和性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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