双扩散型金属氧化物半导体晶体管的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01818142.2
IPC分类号：--
申请日期：
2001-10-17
申请人：
因芬尼昂技术股份公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	双扩散型金属氧化物半导体晶体管的制造方法
申请号	CN01818142.2	申请日期	2001-10-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-01-28	公开/公告号	CN1471729
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	因芬尼昂技术股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	因芬尼昂技术股份公司	当前权利人	因芬尼昂技术股份公司
发明人	K·米勒;C·瓦格纳;K·罗斯奇劳
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	胡强;赵辛

摘要

本发明提供双扩散型金属氧化物半导体(DMOS)晶体管的制造方法。本发明的优点是，通过使用保护层使已基本完成的DMOS晶体管结构免于受到后续加工步骤的负面影响。根据本发明的、制造具有本体区、源极区和栅极的双扩散型金属氧化物半导体晶体管结构的方法包括下列步骤：步骤A，提供具有一栅极氧化物的半导体衬底；步骤B，在栅极氧化物上涂布一个导电层；步骤C，使导电层形成图形，其中，安置在随后将产生的源极区上方的一些导电层部分被去除；步骤D，产生本体区及源极区；步骤E，在半导体衬底上涂布至少一个保护层；步骤F，使保护层及导电层形成图形，以产生双扩散型金属氧化物半导体晶体管的栅极；步骤G，至少在源极区上方除去保护层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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