SiC单晶的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610325787.8
IPC分类号：C30B15/10;C30B15/14;C30B29/36
申请日期：
2016-05-17
申请人：
丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社

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著录项信息

专利名称	SiC单晶的制造方法
申请号	CN201610325787.8	申请日期	2016-05-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-30	公开/公告号	CN106167916A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/10 承载熔融液的坩埚或容器〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;1;0;;;C;3;0;B;1;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6查看分类表>
申请人	丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	丰田自动车株式会社	当前权利人	丰田自动车株式会社
发明人	大黑宽典;楠一彦;龟井一人;关和明;岸田丰
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李英

摘要

本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm2以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。

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