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嵌埋有晶片的封装结构的制法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410041750.3
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2014-01-27
  • 申请人:
    矽品精密工业股份有限公司
著录项信息
专利名称嵌埋有晶片的封装结构的制法
申请号CN201410041750.3申请日期2014-01-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-15公开/公告号CN104779176A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人矽品精密工业股份有限公司申请人地址
中国台湾台中市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人矽品精密工业股份有限公司当前权利人矽品精密工业股份有限公司
发明人张翊峰;符毅民;蔡芳霖;刘正仁;陈宏棋
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟;王锦阳
摘要
一种嵌埋有晶片的封装结构的制法,包括:准备一其上形成有第一线路层的承载板,该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫;以覆晶方式接置至少一晶片于该第一电性连接垫上;将介电层形成在该承载板上以包覆该晶片及该第一线路层,并令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对之第二表面;将贯穿该介电层且连接该第二电性连接垫的多个导电通孔形成;将电性连接该导电通孔的第二线路层形成在该介电层的第二表面上;以及移除该承载板。本发明能提高晶片的电性连接或信赖性测试的良率。

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